Совместно разрабатывать и производить высокоскоростную оперативную память HBM4 договорились южнокорейская компания SK Hynix и тайваньская TSMC, 16 мая сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.

Выпускать кристаллы памяти планируется на мощностях крупнейшего в мире контрактного производителя чипов TSMC. Производство будет осуществляться по технологическим процессам 12 и 5 нм.

Техпроцесс с нормами 12 нм будет применяться для бюджетных вариантов чипов памяти. С использованием 5 нм техпроцесса будут изготавливаться чипы для высокопроизводительных решений.

Кроме того, планируется обеспечить шаг между соединениями с другими микросхемами в диапазоне 6-9 мкм, что обеспечит возможность включения чипов памяти HBM4 в системы на подложке для высокопроизводительных вычислений.

Представители TSMC сообщили, что 12 нм техпроцесс позволяет делать наборы чипов памяти объемом 48 и 64 Гб. В опытных изделиях удалось обеспечить 2 тыс. соединений с другими кристаллами и обеспечить скорость передачи данных 6 млрд транзакций в секунду при токе 14 мА.