Опытную линию производства полупроводниковых приборов по техпроцессу 7–10 нм FD-SOI анонсировал консорциум Fames, 24 июня пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.

Консорциум, состоящий из 43 организаций, включая международный научно-исследовательский центр микроэлектроники (imec), институт SiNAMO, Fraunhofer Mikroelektronik, запланировал строительство опытной линии в Гренобле, Франция.

На опытном производстве планируется изготавливать цифровые, аналоговые и радиочастотные полупроводниковые приборы. В частности, опробовать перспективные разработки в области энергонезависимой памяти OxRAM, FeRAM, MRAM и FeFET.

Изготавливать приборы планируется по техпроцессам 7 и 10 нм FD-SOI. Транзисторы FD-SOI энергоэффективнее FinFET, а производство таких полупроводниковых изделий в теории должно быть дешевле.